他认为，中国 AI 公司的基础设施非常好，取得了很多创新，也在攻克各种技术难题，但它们取得这样的结果，靠的并不是「走捷径」。
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在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。，这一点在heLLoword翻译官方下载中也有详细论述
7#楼超3米基坑无支护且违规堆载，基坑一次开挖到底未采取有效支护措施，5#楼施工升降机载重显示失灵、天井操作平台未按要求编制审批危大方案，现场电工证件过期且无复审资格仍违规上岗……多项行为均违反安全生产重大事故隐患判定标准。